SXSEMI P6SMB170A
" (2302)P6SMB170A REACH(SVHC)声明
本文件为Littelfuse公司关于REACH法规(EC)No 1907/2006的SVHC(高度关注物质)声明。声明中提到,产品系列/零件号P6SMB170A含有在REACH法规附件1b中列出的物质,其浓度超过0.1%重量比,符合第57条标准,并根据第59(1)条标准进行识别。截至2021年1月19日,SVHC候选清单中共有211项物质。声明不修改或改变Littelfuse公司与购买者之间现有合同或购买协议的条款。声明由全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos签署。
P6SMB170A RoHS合规证书
本证书为Littelfuse公司产品P6SMB170A的合规性声明,确认该产品符合欧盟RoHS 2指令2011/65/EU和指令(EU) 2015/863关于有害物质限制的要求。证书指出产品不含铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯(PBB)、多溴联苯醚(PBDE)等有害物质,以及邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯(DEHP)、丁基苯基邻苯二甲酸酯(BBP)、二丁基邻苯二甲酸酯(DBP)和二异辛基邻苯二甲酸酯(DIBP)等特定物质。证书由Littelfuse全球环境、健康与安全(EH&S)总监Jennilyn Dinglasan-Santos签署,并提供了联系方式。
P6SMB系列瞬态电压抑制器二极管
该资料详细介绍了P6SMB系列瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor Diodes)的产品特性、电气特性、典型特性和封装尺寸。资料涵盖了产品的最大峰值脉冲功率、峰值脉冲电流、功耗、正向浪涌电流、工作结温和存储温度范围等关键参数。
P6SMB170CA REACH(SVHC)声明
本文件为Littelfuse公司关于REACH法规(EC)No 1907/2006的声明,涉及产品系列/零件编号P6SMB170CA,该产品含有在REACH法规附件1b中列出的物质,其浓度超过0.1%重量比。声明中提到目前有219种高度关注物质(SVHC)的候选清单,并提供了ECHA网站链接供查阅。声明不修改任何合同或购买协议,并由公司全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos签署。
P6SMB系列YENYO表面贴装瞬态电压抑制器
P6SMBF6.8A(CA)-P6SMBF440A(CA)表面贴装瞬态电压抑制二极管
该资料介绍了P6SMBF系列表面贴装瞬态电压抑制二极管,包括其电压范围、功率、特性、机械数据、最大额定值和特性曲线。这些二极管适用于多种电压范围,具有快速响应时间和良好的钳位能力。
UMH7N双通道数字晶体管(NPN+NPN)
UMH7N是一款双数字晶体管(NPN+NPN)产品,采用SOT-363封装,具有两个DTC143T芯片。该产品具有独立晶体管元件,可降低安装成本和面积,适用于SOT-363自动安装机器。资料中提供了绝对最大额定值和电气特性参数。
UMD12N双通道数字晶体管(NPN+PNP)
UMD12N是一款双数字晶体管(NPN+PNP)产品,采用SOT-363封装,具有独立晶体管元件,可降低安装成本和面积。资料详细介绍了其绝对最大额定值、电气特性、典型特性以及封装尺寸。
UMZ1N双晶体管(NPN+PNP)
本资料介绍了UMZ1N双晶体管(NPN+PNP)的特性和规格。该产品采用SOT-363封装,具有独立的晶体管元件,可降低安装成本和面积。资料中提供了最大额定值、电气特性以及封装尺寸信息。
UMH11N双通道数字晶体管(NPN+NPN)
UMH11N是一款双数字晶体管(NPN+NPN)产品,采用SOT-363封装,具有两个DTC114E芯片。该产品具有独立晶体管元件,可降低干扰,并适用于SOT-363自动安装机器。其主要特点包括降低安装成本和面积,以及提供详细的电气特性和典型特性曲线。
MMST4401晶体管(NPN)SOT-323
本资料详细介绍了MMST4401型NPN晶体管的产品特性,包括其电气特性、最大额定值、典型特性以及封装尺寸。资料中未提及具体的应用领域。
SS8550晶体管(PNP)
本资料详细介绍了SS8550型PNP晶体管的产品特性、电气特性、典型特性以及封装尺寸。资料中提供了该晶体管的最大额定值、电气特性参数、静态特性曲线和封装尺寸图,适用于电子工程师在设计电路时参考。
S9015晶体管(PNP)SOT-23
S9015是一款PNP型晶体管,采用SOT-23封装。资料详细介绍了其最大额定值、电气特性、分类以及封装尺寸等信息。
MMSTA42晶体管(NPN)
本资料主要介绍了MMSTA42型NPN晶体管的产品特性,包括其高击穿电压、SOT-323封装尺寸以及建议的焊盘布局。
MMDT9015晶体管(PNP)
本资料详细介绍了MMDT9015型PNP晶体管的产品特性、电气特性、典型特性以及封装尺寸。资料中未提及具体的应用领域。
China RoHS Substance Report P6SMB
1KSMB170A REACH(SVHC)声明
本文件为Littelfuse公司关于REACH法规(EC)No 1907/2006的声明,涉及产品系列/零件编号1KSMB170A,该产品含有在REACH法规附件1b中列出的物质,其浓度超过0.1%重量比。声明中提到目前有211种高度关注物质(SVHC)在候选清单中,并提供了ECHA网站链接供查阅。声明不修改任何合同或购买协议,并确认声明人有权代表公司发表此合规性声明。声明日期为2021年2月2日。
TPSMB170A RoHS合规证书
本文件为Littelfuse公司出具的RoHS合规证书,确认其TPSMB170A产品系列/部件编号不含铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯(PBB)或多溴联苯醚(PBDE)等有害物质,且不含有邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯(DEHP)、丁基苯基邻苯二甲酸酯(BBP)、二丁基邻苯二甲酸酯(DBP)和二异丁基邻苯二甲酸酯(DIBP)等物质。证书由全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos签发,有效期为2020年11月20日。
1KSMB170A RoHS合规证书
本文件为Littelfuse公司关于RoHS指令的合规证书,确认其产品系列/零件编号1KSMB170A不含铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯(PBB)或多溴联苯醚(PBDE)等有害物质,且不含有邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯(DEHP)、丁基苯基邻苯二甲酸酯(BBP)、二丁基邻苯二甲酸酯(DBP)和二异丁基邻苯二甲酸酯(DIBP)等物质。证书由全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos签发,有效期为2021年2月2日。
TPSMB170A REACH(SVHC)声明
本文件为Littelfuse公司关于REACH法规(EC)No 1907/2006的声明,涉及产品系列/零件编号TPSMB170A,该产品含有在附件1b中列出的物质,浓度超过0.1%重量比,符合第57条标准,并根据第59(1)条标准识别。截至2020年6月25日,候选清单中有209种高度关注物质(SVHC)。此声明不影响任何合同或购买协议。声明由全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos于2020年11月20日发布。
UMD6N双通道数字晶体管(NPN+PNP)
UMD6N是一款双数字晶体管(NPN+PNP)产品,采用SOT-363封装。该产品具有独立晶体元件,减少干扰,降低安装成本和面积。主要参数包括集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极电流、集电极功耗等。电气特性包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、直流电流转移比、输入电阻、转换频率等。此外,还提供了SOT-363封装的轮廓尺寸和推荐焊盘布局图。
UMy1N双晶体管(PNP+NPN)
该资料介绍了UMY1N双晶体管(PNP+NPN)的产品特性。产品包含2SA1037AK和2SC2412K晶体管,采用SOT-353封装。特性包括PNP和NPN晶体管具有共同的发射极,可降低安装成本和面积。资料还提供了绝对最大额定值、电气特性以及SOT-353封装的尺寸和布局信息。
S8050晶体管(NPN)
S8050是一款NPN型晶体管,具有SOT-23封装。该晶体管与S8550互补,具有0.5A的集电极电流。资料中详细列出了S8050的最大额定值、电气特性、典型特性和封装尺寸。包括集电极-基极、集电极-发射极和发射极-基极的击穿电压,集电极截止电流,直流电流增益,饱和电压等参数。此外,还提供了S8050的典型特性曲线和SOT-23封装的轮廓尺寸。
A92晶体管(PNP)
本资料详细介绍了A92型号PNP型晶体管的技术规格和应用。包括其低饱和电压、高击穿电压等特性,最大额定值如集电极-基极电压、集电极-发射极电压等,以及电气特性如集电极电流、直流电流增益等。此外,还提供了典型特性曲线、封装尺寸和推荐焊盘布局图。
A94晶体管(PNP)
本资料详细介绍了型号为A94的PNP型晶体管(SOT-89-3L封装)的技术规格。内容包括最大额定值、电气特性、典型特性曲线以及封装尺寸和推荐焊盘布局。资料涵盖了晶体管的集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极电流、集电极功耗、工作温度范围等关键参数。
SX857BN3晶体管(PNP)
本资料详细介绍了SX857BN3型PNP晶体管的技术规格和应用。包括其低电流、低电压特性,适用于通用开关和放大。资料提供了最大额定值、电气特性、典型特性和DFN1006-3封装尺寸等信息,适用于电子工程师在设计时参考。
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Brand:QY Semiconductor
Category:Surface Mount Transient Voltage Suppressors
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